3. 강의목표
- 교과목 개요: 본 교과목을 통해 반도체 소자의 동작 원리를 이해하고 차세대 소자 개발에 필요한 기본지식을 습득한다.
- 교육 목표:
(1) 최신 반도체 산업의 동향을 파악한다. (10%)
(2) Scaled planar MOSFET (22-90nm node 급 )의 동작 특성을 물리적 수식으로 이해하고 설명할 수 있다. (40%)
(3) 최신 반도체소자 (2-14nm)의 동작원리에 대해 기본 개념과 동작원리를 이해한다(40%)
(4) Alternative 소자를 소개하고 장단점을 알아본다. (10%)
5. 성적평가
- 시험(중간: 30%, 기말: 30%)
- 과제(30%)
- 출석(10%)
6. 강의교재
| 도서명 |
저자명 |
출판사 |
출판년도 |
ISBN |
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Fundamentals of Modern VLSI Devices
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Yuan Taur
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Cambridge
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0000
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7. 참고문헌 및 자료
- FinFETs and Other Multi-Gate Transistors, J.-P.Colinge, Springer
8. 강의진도계획
Week 1: Orientation, Introduction to Advanced device technology (DTCO,STCO)
Week 2-4: MOSFET devices (Chapter 2, 3 + advanced device physics)
Week 5-6: CMOS Device Design (Chapter 4 + halo/Cov/)
Week 6-7: CMOS Performance Factors (Chapter 5 + inverter, CV/I, PDP)
Week 8: Midterm Exam
Week 9: Silicon-on-Insulator (90nm)
Week 10-11: Strain engineering (65nm) +Metal gate/high-k dielectric (45nm)
Week 11-13: FinFET (14nm)+GAA (5nm)
Week 14: Low dimensional devices (TDMC, CNT, graphene, ultrathin TFT)
Week 15: DTCO, STCO
Week 16: Final Exam.
9. 수업운영
- 강의/설명(강사), 토론 및 발표(수강생)
11. 장애학생에 대한 학습지원 사항
- 수강 관련: 문자 통역(청각), 교과목 보조(발달), 노트필기(전 유형) 등
- 시험 관련: 시험시간 연장(필요시 전 유형), 시험지 확대 복사(시각) 등
- 기타 추가 요청사항 발생 시 장애학생지원센터(279-2434)로 요청