2024년도 1학기 메모리 소자/공정 (SEMI322-01) 강의계획서

1. 수업정보

학수번호 SEMI322 분반 01 학점 3.00
이수구분 전공선택 강좌유형 강의실 강좌 선수과목
포스테키안 핵심역량
강의시간 월, 수 / 15:30 ~ 16:45 / 제2공학관 강의실 [106호] 성적취득 구분 G

2. 강의교수 정보

정성웅 이름 정성웅 학과(전공) 반도체공학과
이메일 주소 swchung@postech.ac.kr Homepage
연구실 전화 054-279-2365
Office Hours

3. 강의목표

반도체 소자물리에 대한 이해를 바탕으로 DRAM, SRAM, FLASH memory 소자의 동작원리에 대해 체계적으로 학습한다. 또한 MOSFET 및 3차원 메모리 소자의 제작공정을 단위 공정, 집적공정 측면에서 학습한다.
차세대 메모리 소자인 PRAM, MRAM, RRAM, FeRAM에 대한 기초적인 동작원리에 대해 학습하고 이를 이용한 Storage class memory (SCM)소자와 이를 구현하기 위한 선택소자 및 hardware 인공지능용 뉴로모픽 시냅스 소자에 대해서도 학습한다.

4. 강의선수/수강필수사항

반도체 소자 I (반도체 전자공학 I)

5. 성적평가

 중간고사: 40%
 기말고사: 40%
 Homework and participation : 20%

6. 강의교재

도서명 저자명 출판사 출판년도 ISBN
Semiconductor Memory Devices and Circuits Yu, Shimeng CRC Press 2022

7. 참고문헌 및 자료

8. 강의진도계획

1-2주: Introduction, 메모리 특징, MOSFET overview
3-7주: DRAM 소자 및 동작, process integration
8주: 중간고사 (30%)
9-10주: SRAM 기초 및 NAND flash overview,
11-12주: NAND flash 소자 및 동작
13주 : 3D NAND process inegration
14-15주: 차세대 메모리 (PRAM, MRAM) 소자 및 공정
16주: 기말고사(30%)

9. 수업운영

10. 학습법 소개 및 기타사항

11. 장애학생에 대한 학습지원 사항

- 수강 관련: 문자 통역(청각), 교과목 보조(발달), 노트필기(전 유형) 등

- 시험 관련: 시험시간 연장(필요시 전 유형), 시험지 확대 복사(시각) 등

- 기타 추가 요청사항 발생 시 장애학생지원센터(279-2434)로 요청

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번호 학기명 학수번호 분반 강좌명