3. 강의목표
소자의 크기가 나노수준으로 급격히 감소하는 추세이다. 이처럼 소자 크기가 감소함에 따라, 기존의 수 μm~수백 nm급 소자에서는 표출되지 않았던 여러 가지 구조적, 물리적 특성이 두드러지게 나타나고 있다. 따라서 이러한 양자효과를 포함한 물리적인 현상을 정확히 기술할 수 있는 소자 물성 이론 및 분석 기술이 절실하게 필요로 하는 시점이다. 따라서 IT융합소자연구의 기반요소인 물리이론과 최신 측정 분석 기술을 연계하여 강의하고 차세대 소자를 활용한 회로기술을 소개한다.
5. 성적평가
중간고사 (35%), 기말고사 (35%), Homework (20%), 출석 (10%)
7. 참고문헌 및 자료
- Device Electronics for Integrated Circuits, 3rd Edition (R. S. Muller, T. I. Kamins)
- Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd Edition (D. K. Schroder)
- Physics and Technology of Semiconductor Devices (Andrew S. Grove)
- Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 4 (S. Wolf)
8. 강의진도계획
- 1~2주 : What is Next Generation Devices and Circuits?
- 2~5주 : Basic Device Physics from PN junction to MOSFET (including Reliability issues)
- 5~6주 : Basic Measurement Technique (Resistivity, Carrier Density, etc)
- 7주 : Midterm examination
- 8~10주 : Advanced Measurement Technique (Series Resistance, Defects, etc)
- 10~13주: Next-generation Devices and its physics
(including Quantum Physics and FinFET, Nanowire, Biosensor, Solar cell, LED etc.)
- 13~15주: Applied Circuits using Next-generation devices
- 16주 : Final examination
11. 장애학생에 대한 학습지원 사항
- 수강 관련: 문자 통역(청각), 교과목 보조(발달), 노트필기(전 유형) 등
- 시험 관련: 시험시간 연장(필요시 전 유형), 시험지 확대 복사(시각) 등
- 기타 추가 요청사항 발생 시 장애학생지원센터(279-2434)로 요청