2025년도 1학기 메모리 소자/공정 (SEMI322-01) 강의계획서

1. 수업정보

학수번호 SEMI322 분반 01 학점 3.00
이수구분 전공선택 강좌유형 강의실 강좌 선수과목 EECE211 (반도체전자공학I), SEMI100 (학과입문(반도체공학)), SEMI203 (반도체 소자 I)
포스테키안 핵심역량
강의시간 화, 목 / 17:00 ~ 18:15 / 제2공학관 강의실 [106호] 성적취득 구분 G

2. 강의교수 정보

정성웅 이름 정성웅 학과(전공) 반도체공학과
이메일 주소 swchung@postech.ac.kr Homepage https://impd.postech.ac.kr/
연구실 HTTPS://IMPD.POSTECH.AC.KR/ 전화 054-279-2365
Office Hours

3. 강의목표

반도체 소자물리에 대한 이해를 바탕으로 DRAM, SRAM, FLASH memory 소자의 동작원리에 대해 체계적으로 학습한다. 또한 MOSFET 및 3차원 메모리 소자의 제작공정을 단위 공정, 집적공정 측면에서 학습한다.
DRAM과 NAND flash의 특징을 살펴보고 어떤 역할을 하는지 어떤 기술적 가치가 있는지를 경험한다.

4. 강의선수/수강필수사항

반도체 소자 I (반도체 전자공학 I)

5. 성적평가

 중간고사: 40%
 기말고사: 40%
 Homework and participation : 20%

6. 강의교재

도서명 저자명 출판사 출판년도 ISBN
Semiconductor Memory Devices and Circuits Yu, Shimeng CRC Press 2022

7. 참고문헌 및 자료

8. 강의진도계획

1-2주: Introduction, 메모리 특징, MOSFET overview
3-7주: DRAM 소자 및 동작, process integration
8주: 중간고사 (30%)
9-10주: SRAM 기초
11-12주: NAND flash 소자 및 동작
13~14주 : 3D NAND process inegration
15주: 차세대 메모리 (PRAM, MRAM) 소자 및 공정
16주: 기말고사(30%)

9. 수업운영

10. 학습법 소개 및 기타사항

11. 장애학생에 대한 학습지원 사항

- 수강 관련: 문자 통역(청각), 교과목 보조(발달), 노트필기(전 유형) 등

- 시험 관련: 시험시간 연장(필요시 전 유형), 시험지 확대 복사(시각) 등

- 기타 추가 요청사항 발생 시 장애학생지원센터(279-2434)로 요청

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번호 학기명 학수번호 분반 강좌명