- 교과목개요: 본 강좌는 반도체 집적공정 개론I 의 지식을 기반으로 로직 반도체의 가장 기본이 되는 단위인 CMOS 및 이를 활용한 inverter 제작과 분석을 목표함. 반도체집적공정을 더욱 심도 있게 이해하기위해서는 공정, 소자 전분야에 걸친 보다 전문적 지식 필요하고, 여러 세대의 기술개발과정에 대한 이해가 필요함. 배운 집적공정 내용을 바탕으로 실제로 소자의 레이아웃을 수행하고, Technology Computer Aided Design(TCAD)를 이용하여 가상으로 소자의 집적공정을 체험함. 동시에 교내 NINT 시설을 활용하여 실제 공정 진행을 경험하고 CMOS inverter를 제작 및 테스트하는 실습을 진행. 반도체 공정, 소자 제작 및 특성 이해에 대한 이론 및 실습 지식을 바탕으로 반도체 집적공정 전반에 관한 지식을 함양함.


- 교육 목표: 주요 반도체 공정의 기본 원리를 이해하고, 시뮬레이션으로 가상 소자를 만들어 성능을 예측하며, 직접 공정 진행하여 만들어진 샘플의 특성 분석하여 이론적으로 고찰함.

반도체 집적공정 개론 I

Silicon processing for VLSI era, volume 1. volume 2, volume 3, S.Wolf and R.N. Tauber, Lattice press, 2nd edition.
Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control, Gary S. May, 2006 John Wiley & Sons, Inc.
Sentaurus TCAD manual

WK1.
강의: Course Outline and MOSFET Evolution
실습: 공정 실습 개요 및 NINT Fab 출입

WK2.
강의: CMOS Process Integration Basic
실습: Process Inspection / Monitoring

WK3.
강의: CMOS transistors and TEG Layout
실습: CMOS transistors and TEG Layout

WK4.
강의: CMOS TCAD 실습 개요
실습: MOSFET Simulation

WK5.
강의: NINT CMOS Process Flow
실습: 반도체 물리분석 (SEM 등)

WK6.
강의: TCAD: NINT CMOS Process
실습: TCAD: NINT CMOS Process

WK7.
강의: Process data analysis / CMOS calculations
실습: PN Diode Measurement

WK8.
강의: Advanced MOSFET Process -180nm
실습: PN Diode Measurement

WK9.
강의: Advanced MOSFET Process
실습: 반도체 물리분석

WK10.
강의: Midterm
실습: MOSCAP Measurement

WK11.
강의: CMOS I-V Characteristics
실습: NMOS/PMOS Measurement

WK12.
강의: MOSFET Model Basic
실습: NMOS/PMOS Measurement

WK13.
강의: DRAM/NAND/CIS Process
실습: CMOS Measurement (inverter/ring-oscillator)

WK14.
강의: TCAD vs. Measurement
실습: TCAD vs. Measurement

WK15.
강의: Term project presentation 1
실습: Term project presentation 1

WK16.
강의: Term project presentation 2
실습: Term project presentation 2