2025년도 2학기 특강: 최신 FinFET 공정 및 특성 이해 (EECE490N-01) 강의계획서

1. 수업정보

학수번호 EECE490N 분반 01 학점 3.00
이수구분 전공선택 강좌유형 강의실 강좌 선수과목
포스테키안 핵심역량
강의시간 화, 목 / 14:00 ~ 15:15 / LG연구동 강의실 [106호] 성적취득 구분 G

2. 강의교수 정보

백록현 이름 백록현 학과(전공) 전자전기공학과
이메일 주소 rock8201@postech.ac.kr Homepage https://sites.google.com/view/team-postech-ac-kr/home
연구실 미래소자 및 회로 연구실 전화 054-279-2220
Office Hours

3. 강의목표

#### 선수과목 (반도체 I,II) 이수하지 않아도 수강 가능합니다 ####

2025년 Logic 반도체 분야에 가장 널리 사용되며, 가장 앞선 소자 기술인 FinFET의 공정 및 특성을 이해한다.

세부 강이 목표는 다음과 같다.
1. Planar FET의 limitation을 통해 FinFET의 등장 배경을 이해한다.
2. FinFET의 개발 변천사(node별)를 살펴본다.
3. FinFET의 공정 및 전기적 특성을 이해한다.
4. FinFET의 limitation을 통해 Gate-All-Around FET의 필요성을 이해한다.

4. 강의선수/수강필수사항

5. 성적평가

1. Report & Homework (100%)

6. 강의교재

도서명 저자명 출판사 출판년도 ISBN

7. 참고문헌 및 자료

IEDM/VLSI paper

8. 강의진도계획

1. Planar FET limitation - FinFET 등장 배경
2. FinFET 개발 변천사 (node별)
3. FinFET process (Fin/PC/SD/RPG+RMG/CNT)
4. Performance Knobs
5. FinFET을 이용한 STD cell - DTCO
6. Next? GAA NSFET ?

9. 수업운영

학습 방법: 이론 강의 및 report 기반 토의

10. 학습법 소개 및 기타사항

11. 장애학생에 대한 학습지원 사항

- 수강 관련: 문자 통역(청각), 교과목 보조(발달), 노트필기(전 유형) 등

- 시험 관련: 시험시간 연장(필요시 전 유형), 시험지 확대 복사(시각) 등

- 기타 추가 요청사항 발생 시 장애학생지원센터(279-2434)로 요청

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번호 학기명 학수번호 분반 강좌명