(한국어) 최신 로직 및 메모리 반도체 분야에 가장 널리 사용되며, 가장 앞선 소자 기술인 FinFET 및 GAAFET 공정 및 특성을 이해한다.

1. 2D Planar FET의 한계를 통해 FinFET의 등장 배경을 이해한다.
2. 3D FinFET의 개발 변천사(node별)를 살펴본다.
3. 3D FinFET의 공정 및 전기적 특성을 이해한다.
4. 3D FinFET의 한계를 통해 Gate-All-Around Nanosheet FET의 필요성을 이해하고 벤치마킹한다.
5. GAA 기반 CFET, NAND, DRAM 셀 소자를 알아본다.

(English) Understand the processes and characteristics of FinFET and GAAFET, the most widely used and advanced device technologies in the latest logic and memory semiconductor fields.

1. Understand the background of the emergence of FinFET through the limitations of 2D Planar FETs.
2. Examine the development history of 3D FinFETs (by node).
3. Understand the processes and electrical characteristics of 3D FinFETs.
4. Understand the necessity of Gate-All-Around Nanosheet FETs through the limitations of 3D FinFETs and benchmark them.
5. Explore GAA-based CFET, NAND, and DRAM cell devices.

반도체 소자 I/II에 준하는 학부과목

1. Report & Homework (100%)

(한국어)
1. Planar FET limitation - FinFET 등장 배경
2. FinFET 개발 변천사 (node별)
3. FinFET process (Fin/PC/SD/RPG+RMG/CNT)
4. Performance Knobs
5. FinFET을 이용한 STD cell - DTCO
6. Next? GAA NSFET? and various applications

(영어)
1. Planar FET Limitation - Background of FinFET Emergence
2. History of FinFET Development (by Node)
3. FinFET Process (Fin/PC/SD/RPG+RMG/CNT)
4. Performance Knobs
5. STD Cell Using FinFET - DTCO
6. Next? GAA NSFET? and Various Applications

이론 강의 및 report 기반 토의

Theoretical lectures and report-based discussions